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目前,深圳维动智芯芯片解密中心在DS1225AD IC芯片解密以及其他典型DALLAS芯片解密技术研究中已经取得突破性进展,不仅为大部分典型DALLAS单片机开发出成熟可靠的解密方案,可快速准确提取各种产品应用领域的芯片内部程序,而且在芯片解密的周期和成本上得到了严格控制,解密周期短,价格合理,致力于为国内外广大客户提供高效可靠的解密技术服务。

 DS1225AD是我们目前成功破解的典型DALLAS单片机,而下面我们将针对DS1225AD 单片机做简单介绍,使大家有初步的了解。

  DS1225AD概述
  DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂
电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以用来直接替代现有的8k x 8 SRAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。这些器件还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚排列匹配,可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路
  DS1225AD特性
  ·在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  ·掉电期间数据被自动保护
  ·直接替代8k x 8易失静态RAM或EEPROM
  ·没有写次数限制
  ·低功耗CMOS操作
  ·JEDEC标准的28引脚DIP封装
  ·70ns的读写存取时间
  ·第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  ·±10% VCC工作范围(DS1225AD)
·可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  深圳维动智芯芯片解密中心服务于大众,为广大客户的利益而服务!芯片解密后还提供烧写服务、
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