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 下面我们就针对该芯片的主要性能特征进行简单介绍,供广大客户及其他各类技术工程师参考借鉴。

  C8051F510 Features:
  Manufactured on WinStack-S 0.18um process technology
  Operating Voltage: 3.0V (2.7V-3.6V)
  Organization: 4Mbx8 / 2Mbx16
  Speed: 70ns
  Simultaneous Read/Write (Flexible bank)
  Boot Block: Top & Bottom
  Flex Bank: 4Mb / 12 Mb / 12Mb / 4Mb
  Bank1: 8x8KB/4Kw+7x64KB/32Kw
  - 高密度的16位指令集
  - 领导者的MIPS /瓦
  - 嵌入式ICE(在线仿真)
  · 256K字节的片上
  SRAMManufactured on WinStack-S 0.18um process technology
  Operating Voltage: 3.0V (2.7V-3.6V)
  Organization: 4Mbx8 / 2Mbx16
  Speed: 70ns
  Simultaneous Read/Write (Flexible bank)
  Boot Block: Top & Bottom
  Flex Bank: 4Mb / 12 Mb / 12Mb / 4Mb
  Bank1: 8x8KB/4Kw+7x64KB/32Kw
目前,深圳芯片解密行业内针对C8051F510单片机解密的技术并不普遍和成熟,而维动智芯科技针对该系列疑难型芯片解密的研究已经率先取得突破,已经成功开发出高效可靠的优质解密方案。
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本文标签IC解密 芯片破解 单片机解密

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